항목 | TSS 다이오드 |
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최대 누설 전류 | 5μA 미만 |
설명 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
패키지 크기 | DO-214AA/SMB |
성분 | 사이리스터 서지 억제기 |
설명 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
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제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
C0@1MHz, 2V바이어스 | 50pF(표준) |
약어 | TSS 다이오드 |
VDRM | 최소 170V |
회로 부품 이름 | 서지 보호 장치(SPD) |
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회로 구성 요소 크기 | 41×32×19.5mm |
정격 구동 전압 | 220VAC |
맥스. 연속 전압 | 277VAC |
응답 시간 | 25 나노 초 |
이명 | 사이리스터관 |
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발자국 | DO-214AA/SMB |
패턴 | 표면량 |
VDRM(최소) | 275V |
IDRM | 5μA |