| 패키지 크기 | DO-214AC/SMA |
|---|---|
| 성분 | 사이리스터 서지 억제기 |
| 항목 | TSS 다이오드 |
| 최대 누설 전류 | 5μA 미만 |
| TSS 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
| 제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 패키지 크기 | DO-214AC/SMA |
| 설명 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
| 서지 등급 | 3/4KV(10/700μs) |
| C0@1MHz, 2V바이어스 | 120pF(표준) |
| 패키지 크기 | DO-214AA/SMB |
|---|---|
| 성분 | 사이리스터 서지 억제기 |
| TSS 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
| 최대 누설 전류 | 5μA 미만 |
| 설명 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
| 보호자 이름 | SPD 장치 |
|---|---|
| 프로텍터 크기 | 41×32×19.5mm |
| 보호 장치 정격 작동 전압 | 220VAC |
| Protector Max. 프로텍터 맥스. Continuous Voltage 연속전압 | 277VAC |
| 보호자 응답 시간 | 25 나노 초 |
| 회로 부품 이름 | 서지 보호 장치(SPD) |
|---|---|
| 회로 구성 요소 크기 | 41×32×19.5mm |
| 정격 구동 전압 | 220VAC |
| 맥스. 연속 전압 | 277VAC |
| 응답 시간 | 25 나노 초 |
| 이름 | 금속 산화 배리스터 |
|---|---|
| 발자국 | Ф7mm |
| VAC | 40V |
| VDC | 56V |
| 바리스터 전압 | 68(61~75)V |
| 항목 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 패키지 사이즈 | DO-214AA/SMB |
| VDRM(최소) | 65V |
| IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 88v |
| 이명 | 사이리스터관 |
|---|---|
| 발자국 | DO-214AA/SMB |
| 패턴 | 표면량 |
| VDRM(최소) | 275V |
| IDRM | 5μA |
| 항목 | TSS 다이오드 |
|---|---|
| 최대 누설 전류 | 5μA 미만 |
| 설명 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
| 패키지 크기 | DO-214AA/SMB |
| 성분 | 사이리스터 서지 억제기 |
| 설명 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
| C0@1MHz, 2V바이어스 | 50pF(표준) |
| 약어 | TSS 다이오드 |
| VDRM | 최소 170V |
