| 설명 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 패키지 종류 | DO-214AA/SMB |
| VDRM(최소) | 6V |
| IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 25V |
| 항목 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 패키지 사이즈 | DO-214AA/SMB |
| VDRM(최소) | 65V |
| IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 88v |
| 핵심 단어 | 다이오드 |
|---|---|
| 패키지 | DO-214AA/SMB |
| 적용 | 보호 회로 기판; |
| 장착형 | 표면량 |
| VDRM(최소) | 58V |
| 제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 패키지 종류 | SOP-8L |
| VF | 3V |
| VFRM | 10V |
| C | 110pF |
| 항목 | TSS 다이오드 |
|---|---|
| 패키지 종류 | DO-214AC/SMA |
| VDRM(최소) | 6V |
| IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 25V |
| TSS 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| TSS 패키지 | DO-214AC/SMA |
| TSS VDRM(최소) | 66V |
| TSS IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 87V |
| 항목 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 패키지 종류 | DO-214AA/SMB |
| VDRM(최소) | 6V |
| IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 25V |
| 이명 | 사이리스터관 |
|---|---|
| 발자국 | DO-214AA/SMB |
| 패턴 | 표면량 |
| VDRM(최소) | 275V |
| IDRM | 5μA |
| 제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 패키지 사이즈 | DO-214AA/SMB |
| VDRM(최소) | 6V |
| IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 25V |
| 제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 경우 | DO-214AA/SMB |
| VDRM(최소) | 190V |
| IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 260V |