| IFSM | 50A |
|---|---|
| VDC | 40V |
| 작동 온도 | -50-+125°C |
| 최대 평균은 정류 전류를 진척시킵니다 | 2.0A |
| 저장 온도 범위 | - 50-+150' C |
| Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage | 20V |
|---|---|
| Storage Temperature Range | -50 To +150℃ |
| Peak forward Surge Current | 50A |
| Package | SOD-123FL |
| Average Rectified Current at TA=75℃ | 3A |
| 패키지 | DO-214AC(SMA) |
|---|---|
| 최대 직류 전원 차단 전압 | 100V |
| 전형적 접합 커패시턴스 | 500pF |
| 최대 평균은 정류 전류를 진척시킵니다 | 3A |
| 작동 접합부 온도 범위 | -65~+150℃ |
| 전형적 접합 커패시턴스 | 300pF |
|---|---|
| 패키지 | DO-214AC(SMA) |
| 최대 평균은 정류 전류를 진척시킵니다 | 3A |
| 작동 접합부 온도 범위 | -65~+150℃ |
| 피크 순방향 돌입 전류 | 100A |
| 최대 평균 순방향 전류 | 3A |
|---|---|
| 패키지 | DO-214AA(SMB) |
| 최대 직류 전원 차단 전압 | 80V |
| 최대 순방향 전압 | 0.8V |
| 피크 순방향 돌입 전류 | 80A |
| 제품 이름 | 다층 칩 배리스터 |
|---|---|
| 패키지 종류 | SMD0402 |
| Vdc(최대) | 5.5V |
| Vv(최소) | 7.6V |
| Vv(최대) | 12v |
| 이명 | SMD 배리스터 |
|---|---|
| 크기 | Ф7mm |
| VAC | 300V |
| VDC | 385V |
| 바리스터 전압 | 470(423~517)V |
| 구성 요소 이름 | 다층 칩 배리스터 |
|---|---|
| 구성 요소 패키지 | SMD1812 |
| 최대 DC 작동 전압 | 385V |
| Vv(최소) | 423V |
| Vv(최대) | 517V |
| 매우 낮은 클램핑 전압 | 그래요 |
|---|---|
| 제품 이름 | SE05T6D14GA ESD 어레이 낮은 용량 ESD 보호 작동 전압 3.3V |
| 릴당 수량 | 3,000PCS |
| 패키지 | SOT23-6L 패키지 |
| Vrwm(최대) | 5.0V |
| Vbr | 6.0V |
|---|---|
| Rohs Compliant | Yes |
| Package | SOT-26 |
| Junction Capacitance | 1.0 PF |
| Application | SIM Ports, USB 2.0 Power And Data Line Protection |