제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
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경우 | DO-214AA/SMB |
VDRM(최소) | 190V |
IDRM | 5μA |
대 @100V/μS(최대) | 260V |
항목 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
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패키지 종류 | DO-214AA/SMB |
VDRM(최소) | 6V |
IDRM | 5μA |
대 @100V/μS(최대) | 25V |
제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
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패키지 사이즈 | DO-214AA/SMB |
VDRM(최소) | 6V |
IDRM | 5μA |
대 @100V/μS(최대) | 25V |
제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
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발 크기 | DO-214AA/SMB |
VDRM(최소) | 6V |
IDRM | 5μA |
대 @100V/μS(최대) | 25V |
제품 이름 | 금속 산화 배리스터 |
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패키지 종류 | Ф5mm |
VAC | 40V |
VDC | 56V |
바리스터 전압 | 68(61~75)V |
핵심 단어 | 다이오드 |
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패키지 | DO-214AA/SMB |
적용 | 보호 회로 기판; |
장착형 | 표면량 |
VDRM(최소) | 58V |
항목 | TSS 다이오드 |
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패키지 종류 | DO-214AC/SMA |
VDRM(최소) | 6V |
IDRM | 5μA |
대 @100V/μS(최대) | 25V |
설명 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
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항목 | TSS 다이오드 |
최대 누설 전류 | 5μA 미만 |
TSS 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
성분 | 사이리스터 서지 억제기 |
최대 누설 전류 | 5μA 미만 |
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TSS 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
패키지 크기 | DO-214AC/SMA |
항목 | TSS 다이오드 |
Vt @ 2.2A | 최대 4V |
제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
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약어 | TSS 다이오드 |
VDRM | 최소 120V |
C0@1MHz, 2V바이어스 | 60pF(표준) |
VS@100V/μS | 최대 160V |