| 작동 온도 | -40℃ ~ +90℃ |
|---|---|
| 응답 시간 | 25 나노 초 |
| 전압 등급 | 400V |
| 최소 절연 저항 | 1GΩ |
| 현재 등급 | 10kA |
| 제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 패키지 종류 | SOP-8L |
| VF | 3V |
| VFRM | 10V |
| Ｃ | 110pF |
| 항목 | TSS 다이오드 |
|---|---|
| 최대 누설 전류 | 5μA 미만 |
| 설명 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
| 패키지 크기 | DO-214AA/SMB |
| 성분 | 사이리스터 서지 억제기 |
| 제품 이름 | 전압 억제 다이오드 |
|---|---|
| 패키지 종류 | DO-214AB/SMC |
| VRWM | 12.0V |
| Vbr@It(최소) | 13.30V |
| Vbr@It(최대) | 14.70V |
| 설명 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| VDRM | 최소 75V |
| VS@100V/μS | 최대 98V |
| 서지 등급 | 3/4KV(10/700μs) |
| 약어 | TSS 다이오드 |
| 제품 이름 | 전압 억제 다이오드 |
|---|---|
| 패키지 종류 | DO-218AB |
| VR | 24v |
| Ir@Vr @25℃ | 5μA |
| Ir@Vr @175℃ | 150μA |
| 제품 이름 | 금속 산화 배리스터 |
|---|---|
| 패키지 종류 | Ф20mm |
| VAC | 300V |
| VDC | 385V |
| 바리스터 전압 | 470(423~517)V |
| 제품 이름 | 다층 칩 배리스터 |
|---|---|
| 패키지 종류 | SMD0402 |
| Vdc(최대) | 5.5V |
| Vv(최소) | 7.6V |
| Vv(최대) | 12v |
| 제품 이름 | 금속 산화 배리스터 |
|---|---|
| 패키지 종류 | Ф14mm |
| VAC | 275V |
| VDC | 350V |
| 바리스터 전압 | 330(297~363)V |
| 이명 | SMD 배리스터 |
|---|---|
| 크기 | Ф7mm |
| VAC | 300V |
| VDC | 385V |
| 바리스터 전압 | 470(423~517)V |
