| 구성 요소 이름 | 다층 칩 배리스터 |
|---|---|
| 구성 요소 패키지 | SMD1812 |
| 최대 DC 작동 전압 | 385V |
| Vv(최소) | 423V |
| Vv(최대) | 517V |
| TSS 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 항목 | TSS 다이오드 |
| 성분 | 사이리스터 서지 억제기 |
| 설명 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
| 최대 누설 전류 | 5μA 미만 |
| 제품 이름 | 가스 방전관 |
|---|---|
| 크기 | 5*5*4.2mm |
| DC 스파크오버 전압 @100V/μs | 800V±20% |
| 최대. 스파크 오버 펄스 전압 @ 100V/μs | 1200V |
| Max. 최대. Spark-over Impulse Voltage @1KV/μs 스파크오버 임펄스 전압 @1KV/μs | 1400V |
| 제품 이름 | 가스 방전관 |
|---|---|
| 크기 | φ8*6mm |
| DC 스파크오버 전압 @100V/μs | 230V±20% |
| 최대. 스파크 오버 펄스 전압 @ 100V/μs | 600V |
| Max. 최대. Spark-over Impulse Voltage @1KV/μs 스파크오버 임펄스 전압 @1KV/μs | 700V |
| 제품 이름 | 다층 칩 배리스터 |
|---|---|
| 패키지 종류 | SMD0402 |
| Vdc(최대) | 5.5V |
| Vv(최소) | 7.6V |
| Vv(최대) | 12v |
| 저장 온도 | -40°C~+90°C |
|---|---|
| DC 스파크오버 전압 @100V/μs | 360V±20% |
| Min. 최소 Insulation Resistance 절연저항 | 1GΩ(@100V) |
| 장착형 | THT |
| 장점 | 1. Before breakdown (conduction), it is equivalent to an open circuit, with a large resistance an |
| 패키지 크기 | DO-214AC/SMA |
|---|---|
| 성분 | 사이리스터 서지 억제기 |
| 항목 | TSS 다이오드 |
| 최대 누설 전류 | 5μA 미만 |
| TSS 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
| Vbr | 6.0V |
|---|---|
| Rohs Compliant | Yes |
| Package | SOT-26 |
| Junction Capacitance | 1.0 PF |
| Application | SIM Ports, USB 2.0 Power And Data Line Protection |
| 작동 접합부 온도 범위 | -65 ~ +125℃ |
|---|---|
| TA=75℃에서의 평균 정류 전류 | 2A |
| 최대 RMS 전압 | 42V |
| 최대 반복 피크 역전압 | 60V |
| 최대 직류 전원 차단 전압 | 60V |
| 제품 이름 | 가스 방전관 |
|---|---|
| 크기 | 5*5*4.2mm |
| DC 스파크오버 전압 @100V/μs | 350V±20% |
| 최대. 스파크 오버 펄스 전압 @ 100V/μs | 700V |
| Max. 최대. Spark-over Impulse Voltage @1KV/μs 스파크오버 임펄스 전압 @1KV/μs | 800V |
