| IF=1A에서의 최대 순방향 전압 | 0.85V |
|---|---|
| 작동 접합부 온도 및 보관 온도 범위 | -55 내지 +150C |
| 최대 반복 피크 역전압 | 200V |
| VRRM에서의 역방향 누설 전류 | 30μA |
| VR=0V에서의 일반적인 접합 용량 정격 | 85pF |
| 제품 이름 | 전압 억제 다이오드 |
|---|---|
| 패키지 종류 | DO-214AA/SMB |
| VRWM | 6.5V |
| Vbr@It(최소) | 6.40V |
| Vbr@It(최대) | 7.22V |
| 제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 경우 | DO-214AA/SMB |
| VDRM(최소) | 190V |
| IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 260V |
| 핵심 단어 | 금속 산화 배리스터 |
|---|---|
| 차원 | 25mm |
| VAC | 385V |
| VDC | 505V |
| 바리스터 전압 | 620(558~682)V |
| TSS 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 패키지 크기 | DO-214AA/SMB |
| 성분 | 사이리스터 서지 억제기 |
| 설명 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
| 최대 누설 전류 | 5μA 미만 |
| 이명 | 피뢰기 튜브 |
|---|---|
| 길이 | φ8*6mm |
| DC 스파크오버 전압 @100V/μs | 470V±20% |
| 최대. 스파크 오버 펄스 전압 @ 100V/μs | 900V |
| Max. 최대. Spark-over Impulse Voltage @1KV/μs 스파크오버 임펄스 전압 @1KV/μs | 1000V |
| 핵심 단어 | 전압 억제 다이오드 |
|---|---|
| 패키지 종류 | 축 리드 단자 |
| 이명 | 반도체 부품 |
| VAC | 45V |
| VDC | 66V |
| TSS 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| TSS 패키지 | DO-214AC/SMA |
| TSS VDRM(최소) | 66V |
| TSS IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 87V |
| 설명 | 딥 변형 |
|---|---|
| 크기 | Ф20mm |
| VAC | 60V |
| VDC | 85V |
| 바리스터 전압 | 100(90~110)V |
| 제품 이름 | 금속 산화 배리스터 |
|---|---|
| 패키지 종류 | Ф7mm |
| VAC | 320V |
| VDC | 415V |
| 바리스터 전압 | 510(459~561)V |
