| 설명 | 가스 방전관 |
|---|---|
| 패키지 | 5*5*4.2mm |
| DC 스파크오버 전압 @100V/μs | 90V±20% |
| 최대. 스파크 오버 펄스 전압 @ 100V/μs | 500V |
| Max. 최대. Spark-over Impulse Voltage @1KV/μs 스파크오버 임펄스 전압 @1KV/μs | 650V |
| SMAJ36A 이름 | 전압 억제 다이오드 |
|---|---|
| SMAJ36A 패키지 유형 | DO-214AC |
| SMAJ36A Vrwm | 36.0V |
| SMAJ36A Vbr@It(최소) | 40.00V |
| SMAJ36A Vbr@It(최대) | 44.20V |
| 제품 이름 | 금속 산화 배리스터 |
|---|---|
| 크기 | Ф10mm |
| VAC | 385V |
| VDC | 505V |
| 바리스터 전압 | 6200(558~682)V |
| 설명 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 패키지 종류 | DO-214AA/SMB |
| VDRM(최소) | 6V |
| IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 25V |
| 항목 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 패키지 종류 | DO-214AA/SMB |
| VDRM(최소) | 6V |
| IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 25V |
| 제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 패키지 사이즈 | DO-214AA/SMB |
| VDRM(최소) | 6V |
| IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 25V |
| 제품 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
|---|---|
| 발 크기 | DO-214AA/SMB |
| VDRM(최소) | 6V |
| IDRM | 5μA |
| 대 @100V/μS(최대) | 25V |
| 핵심 단어 | 다이오드 |
|---|---|
| 패키지 | DO-214AA/SMB |
| 적용 | 보호 회로 기판; |
| 장착형 | 표면량 |
| VDRM(최소) | 58V |
| Vc(통상) (Ipp=1A) | 12.0V |
|---|---|
| 신청서 | 셀룰러 핸드셋 및 액세서리, 디지털 비주얼 인터페이스(DVI), RF 회로, 디스플레이 포트, USB 포트, MDDI 포트, PCI Express |
| Vrwm(최대) | 3.3V |
| 로스 준수 | 그래요 |
| 제품 이름 | SE03N6L01GZ ESD 배열 낮은 용량 ESD 보호 작동 전압 3.3V |
| 제품 이름 | 전압 억제 다이오드 |
|---|---|
| 패키지 사이즈 | DO-218AB |
| VR | 20V |
| Ir@Vr @25℃ | 5μA |
| Ir@Vr @175℃ | 150μA |
