(TSS) P0080SB DO-214AA (SMB) 패키지 티리스터 급류 억제기 VDRM 6V VS 25V 표시 P008B
데이터 셰이트:PXXX0SB_v21031.pdf
| 부문 번호 | 표기 | VDRM@IDRM=5μA |
VS ① 100V/μS |
VT @IT=2.2A | 난S | 난T | 난H |
C0 2 @1MHz, 2V 편향 |
| V분 | V최대 | V최대 | mA최대 | A최대 | mA분 | pF 유형 | ||
| P0080SB | P008B | 6 | 25 | 4 | 800 | 2.2 | 50 | 80 |
| P0300SB | P03B | 25 | 40 | 4 | 800 | 2.2 | 50 | 80 |
| P0640SB | P06B | 58 | 77 | 4 | 800 | 2.2 | 150 | 80 |
| P0720SB | P07B | 65 | 88 | 4 | 800 | 2.2 | 150 | 75 |
| P0900SB | P09B | 75 | 98 | 4 | 800 | 2.2 | 150 | 70 |
| P1100SB | P11B | 90 | 130 | 4 | 800 | 2.2 | 150 | 70 |
| P1300SB | P13B | 120 | 160 | 4 | 800 | 2.2 | 150 | 65 |
| P1500SB | P15B | 140 | 180 | 4 | 800 | 2.2 | 150 | 65 |
| P1800SB | P18B | 170 | 220 | 4 | 800 | 2.2 | 150 | 65 |
| P2300SB | P23B | 190 | 260 | 4 | 800 | 2.2 | 150 | 60 |
| P2600SB | P26B | 220 | 300 | 4 | 800 | 2.2 | 150 | 60 |
| P3100SB | P31B | 275 | 350 | 4 | 800 | 2.2 | 150 | 50 |
| P3500SB | P35B | 320 | 400 | 4 | 800 | 2.2 | 150 | 50 |
| P4200SB | P42B | 400 | 520 | 4 | 800 | 2.2 | 150 | 40 |
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참고: 1V는 100KV/s에서 측정된다. 2 상태가 없는 용량은 V로 측정됩니다.DC=2V, VRMS=1V, f=1MHz |
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TSS에 대해
TSS는 정밀한 전도성, 빠른 반응, 높은 전압 흡수 능력, 양축 대칭성 및 높은 신뢰성으로 특징입니다.
설명:
PXXX0SB 시리즈는 모덤, 라인 카드, CPE 및 DSL와 같은 광대역 장비를 초전압 트랜지이언트로부터 보호하도록 설계되었습니다.이 시리즈는 장비가 글로벌 규제 표준을 준수 할 수 있도록 하는 표면 장착 솔루션을 제공합니다..
특징:
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u 저전압 초과 u 낮은 전압 u 한계 내에서 여러 번 발생하는 급증 사건 후에 급증 능력을 저하시키지 않습니다. u 등급을 초과할 때 단회로 고장 u 낮은 용량 |
| 매개 변수 | 정의 |
| 난S | 변속 전류- 켜진 상태로 전환하는 데 필요한 최대 전류 |
| 난DRM | 누출 전류- V에서 측정된 최대의 정전 전류DRM |
| 난H | 유지 전류- 상태 유지에 필요한 최소 전류 |
| 난T | 정전류- 최대의 가등급 연속 전류 |
| VS | 스위치 전압- 최대 전압 전 stat에 전환 |
| VDRM | 정전 전압의 최고점- 정전 상태에서 유지되는 동안 적용 될 수있는 최대 전압 |
| VT | 정전압- 가등상동전류에서 측정된 최대전압 |
| C0 | 상태 밖 용량- 정전 상태에서 측정된 전형적 용량 |
| 시리즈 | 210μS1 | 8/20μS1 | 10/160μS1 | 10/560μS1 | 10/1000μS1 | 5/310μS1 |
난TSM 50/60 Hz |
di/dt | |
| 210μS2 | 1.2/50μS2 | 10/160μS2 | 10/560μS2 | 10/1000μS2 | 10/700μS2 | ||||
| 잠깐만요 | 잠깐만요 | 잠깐만요 | 잠깐만요 | 잠깐만요 | A분 | 잠깐만요 | Amps/μs 최대 | ||
| B | 250 | 250 | 150 | 100 | 80 | 100 | 30 | 500 | |
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참고:
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- 최고 펄스 전류 등급 (IPP) 는 반복적이며 제품의 수명 동안 보장됩니다. - 내가PP-40oC에서 +85oC까지의 온도 범위에서 적용되는 등급 - 장치가 처음에는 -40°C < T의 열 평형 상태에서 있어야 합니다.J< + 150°C
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| 고온 전압 차단 | 80%의 VDRM (VAC 피크) +125°C 또는 +150°C, 납 물질 구리 합금 고온 전압 차단 504 또는 1008 h | |
| 템퍼 사이클 | -65°C ~ +150°C, 15분 동안 유지, 10~100회까지 | |
| 편향된 온도와 습도 | 52 VDC (+85°C) 85% RH, 504 ~ 1008 시간 EIA/ JEDEC, JESD22-A-101 | |
| 고온 저장장 | +150°C 1008 h. MIL-STD-750 (방법 1031) JEDEC, JESD22-A-101 | |
| 낮은 온도 저장 | -65°C, 1008시간 | |
| 열 충격 | 0°C ~ +100°C, 5분 동안 유지, 10초 후 전송, 열 충격 10회주기 | |
| 오토클라브 (압조기 테스트) | +121°C, 100%RH, 2atm, 24~168 h EIA/쿠커 테스트) JEDEC, JESD22-A-102 | |
| 용접열에 저항력 | +260°C, 30초. MIL-STD-750 (2031 방법) | |
| 수분 민감도 수준 | 85%RH, +85°C, 168시간, 3번의 재흐름 사이클 레벨 (+260°C 피크) JEDEC-J-STD-020, 레벨 1 |
| 납 물질 | 구리 합금 | |
| 터미널 끝 | 100% 매트 틴 | |
| 시체 재료 | UL가 인정한 에포시스 화염성 분류 94V-0을 충족 |
| 부문 번호 | 구성 요소 패키지 | 양 | 포장 옵션 | 포장 사양 | |
| Pxxx0SB | DO-214AA | 2500 | 테이프 & 릴 -12mm/13′′ 테이프 | EIA -481 - D |
반도체 배열 튜브 선택
TSS를 선택할 때 일반적으로 다음 원칙을 준수해야 합니다.
1절단 전압 선택 VDRM: 절단 전압은 보호 회로의 최대 작동 전압보다 커야합니다.
2전환 전압 선택 VBO: 전환 전압은 장비가 견딜 수 있는 최대 일시적 최고 전압보다 낮아야 합니다.
3유지 전류 선택 IH: 유지 전류는 장비의 작동 전류와 단전 전류보다 커야합니다.
4기생용량 선택 C: 기생용량은 회로에서 허용되는 삽입 손실 또는 신호 전송 주파수에 따라 선택됩니다.
5급증 전류의 선택: 급증 전류의 다른 수준은 회로 또는 급증 테스트 표준의 요구 사항에 따라 선택됩니다.
