| 구성 요소 이름 | 다층 칩 배리스터 |
|---|---|
| 구성 요소 패키지 | SMD1812 |
| 최대 DC 작동 전압 | 385V |
| Vv(최소) | 423V |
| Vv(최대) | 517V |
| 제품 이름 | 금속 산화 배리스터 |
|---|---|
| 크기 | Ф14mm |
| VAC | 50V |
| VDC | 65V |
| 바리스터 전압 | 82(74~90)V |
| 제품 이름 | NTC 서미스터 |
|---|---|
| 패키지 종류 | Ф11mm |
| R25 | 10Ω |
| Imax | 3A |
| 부하시 저항 | 275mΩ |
| 제품 이름 | NTC 서미스터 |
|---|---|
| 패키지 종류 | Ф20mm |
| NTC R25 | 20Ω |
| 아이맥스(A) | 4A |
| 부하시 저항 | 194mΩ |
| 제품 이름 | NTC 서미스터 |
|---|---|
| 패키지 종류 | Ф11mm |
| NTC R25 | 16Ω |
| 아이맥스(A) | 16A |
| 부하시 저항 | 470mΩ |
| 제품 이름 | NTC 서미스터 |
|---|---|
| 패키지 종류 | Ф11mm |
| NTC R25 | 20Ω |
| 아이맥스(A) | 2A |
| 부하시 저항 | 613mΩ |
| 작동 온도 | -40℃ ~ +90℃ |
|---|---|
| 응답 시간 | 25 나노 초 |
| 전압 등급 | 400V |
| 최소 절연 저항 | 1GΩ |
| 현재 등급 | 10kA |
| 패키지 크기 | DO-214AC/SMA |
|---|---|
| 성분 | 사이리스터 서지 억제기 |
| 항목 | TSS 다이오드 |
| 최대 누설 전류 | 5μA 미만 |
| TSS 이름 | 사이리스터 서지 억제기(TSS) |
| 동작 전압 | 5.0V |
|---|---|
| 패키지 | DFN1006 |
| 색상 | 검은색 |
| 클램핑 전압 | 20V |
| 로스 준수 | 그래요 |
| Vbr | 6.0V |
|---|---|
| Rohs Compliant | Yes |
| Package | SOT-26 |
| Junction Capacitance | 1.0 PF |
| Application | SIM Ports, USB 2.0 Power And Data Line Protection |
