다층 칩 바리스토르 SV0402E9R0G0B SMD 타입 진크 산화물 기반 세라믹 칩
다층 칩 바리스토르 DATASHEET:SV0402E9R0G0B_v89.1.pdf
설명:
가장 많이 사용되는 전압 제한 장치는 주로 아연 산화질소와 다양한 미량 금속 산화질소로 만들어져 혼합되고 형성되는 바리스토르 MOV / MLV입니다.
전기 특성(25±5°C):
| 기호 | 최소 | 전형적 | 최대 | 단위 |
| VDC | ∙ | ∙ | 9 | V |
| VV | 11 | ∙ | 17 | V |
| VC | ∙ | ∙ | 35 | V |
| CP | ∙ | 5 | ∙ | pF |
VDC ∆ 바리스토르가 유지할 수 있는 최대 DC 작동 전압, 누출 전류 10μA를 초과하지 않는다.
1mA DC 전류에서 장치 전체의 전압을 측정합니다.
VB와 동등합니다.
VC ∙ 8/20μs 파형과 1A 펄스 전류로 바리스토를 가로지르는 최대 피크 전류
1MHz에서 0볼트 편차 1Vrms로 측정된 장치 용량 CP. pF는 ±30%입니다.
다층 칩 바리스터 응용 프로그램:
전력 보호, 스위치, POS 기계, 번개 차단기, 건물 내부통신기, 모니터링 시스템, 주차 카드, 전송 시스템, 기기, 계정, 통신 제품,제어판.
| 크기 EIA (EIAJ) | 0402 (1005) | |
| 기호 | 인치 | 밀리미터 |
| L | 00.038±0.005 | 00.96±0.12 |
| W | 00.019±0.003 | 00.48±0.0.07 |
| T | 00.020±0.004 | 00.50±0.10 |
| C | 00.010±0.006 | 00.25±0.15 |
일반 기술 데이터:
| 작동 온도 | -40 ~ +85oC | ||
| 저장 온도 | -40 ~ +85oC | ||
| 반응 시간 | < 1 ns | ||
| 용접 가능성 | 245±5oC, 3±1초 | ||
| 용매 용매 저항성 | 260±5oC, 10±1초 | ||
| 테이핑 패키지 보관 상태 | 저장 온도 | 5 ~ 40oC | |
| 상대 습도 | 65%까지 | ||
| 저장 시간 | 최대 12개월 | ||
환경성능:
| 항목 | 사양 | 시험 상태 | |
| 편향 습도 | △VV/ VV≤ ± 10% | 90%RH, 40oC, 작동 전압, 1000 h | |
| 열 충격 | △VV/ VV≤ ± 10% | -40°C ~ 85°C, 30분 주기, 5주기 | |
| 전체 로드 전압 | △VV/ VV≤ ± 10% | 작동 전압 85°C 1000시간 |
운반 테이프차원:
크기 EIA (EIAJ) | 0402 (1005) | |
| 기호 | 인치 | 밀리미터 |
| A | 00.315±0.012 | 80.00±0.30 |
| B | 0.138±0.002 | 30.50±0.05 |
| C | 00.069±0.002 | 10.75±0.05 |
| D0 | 00.061±0.002 | 10.55±0.05 |
| P0 | 00.157±0.004 | 40.00±0.10 |
| P1 | 00.079±0.002 | 20.00±0.05 |
| P2 | 00.079±0.002 | 20.00±0.05 |
| W | 00.023±0.001 | 00.59±0.03 |
| L | 00.044±0.001 | 10.12±0.03 |
| T | 00.024±0.001 | 00.60±0.03 |
테이핑 패키지의 제품 양:
SIZE EIA (EIAJ) | 0402 (1005) |
| 표준 포장량 (PCS / 릴) | 10,000 |
